大家好，这里是大话硬件。

前面我们梳理了很多关于内存的内容，不知道有没有人好奇，为什么要花这么大的精力做这些内容？

在4月份的时候，三星宣布将在2025年逐步停产DDR4内存颗粒，随后海力士和镁光也跟着一起，都宣布逐步停产DDR4颗粒。这三家半导体厂商在内存方面顶了半边天都不止。他们停产的理由也简单，利润太低了。小容量的ROM和RAM对他们来说，没有吸引力，转而去做更高端、利润更高的DDR5、LPDDR5和HBM内存。

虽然国内的半导体厂家也多，像江波龙，长鑫存储，佰维存储，北京君正等等几十家内存厂商目前出货量也很大，不过很多厂家的晶圆并不是自产的，而是购买镁光和三星的晶圆，加入自己的技术，然后封装成颗粒。实力较强的厂家可能自己设计控制器，实力较弱的控制器也需要购买。现在上游厂家停产这些晶圆，国内有些厂家产能就受到了限制。而硬件工程师要干的就是国产替代！

最近这些文章的整理，就是为了在进行内存颗粒国产替代时，做好技术储备。

言归正传，下面结合器件的数据手册，来读懂内存。

针对MT46V型号，容量为512Mb的DDR，它有三种位宽，分别是x4 x8 x16，内部为4bank。

这些内容在前面的文章都已经分析过。

下面以4位宽的拓扑来分析图上的信息。