MMIO语义和MEM语义的区别
嗯，用户要求更详细地区分MMIO和MEM语义，看来之前的中文对比虽然系统但还不够深入。用户可能是嵌入式开发者或OS内核学习者，需要从硬件行为层面理解差异。
用户连续追问MMIO相关概念，说明ta在接触底层开发。第三次提问聚焦“语义区别”，暗示需要实操指导而非理论。尤其关注“详细描述”，可能遇到了调试问题，比如设备不响应或总线错误。
上次回复的表格对比被采纳了，这次要补充编译器优化案例和硬件信号时序。需强调三个新维度：
1 物理总线行为的差异（比如MMIO的wait-state插入）
2 编译器对volatile的底层处理（生成asm代码差异）
3 错误操作的灾难性后果（如错误对齐导致设备锁死）
要警惕用户可能的误区：认为MMIO地址可像内存一样计算偏移。实际上设备寄存器间隔常是非连续的，比如0x1000处是控制寄存器，0x1004却是只读状态寄存器，中间0x1001-0x1003保留。这点必须强调。
最后用GPIO操作实例展示后果：如果忘记volatile，LED控制代码可能被优化到只执行最后一次写入，导致闪烁异常。这种案例比理论更直观。
