本文篇幅较长，涉及背景原理介绍方便大家理解其运作方式 以及 基于DDR5协议具体展开介绍。

背景原理介绍

上图参考：DDR 内存中的 ECC

写入操作时，On-die ECC的工作过程如下：

1. SoC将需要写入到Memory中的数据发送给控制器
2. 控制器将需要写入的数据直接发送给DRAM芯片
3. 在DDR5 DRAM内部，根据写入的数据进行计算，生成对应的ECC码
4. DRAM芯片将写入的数据和对应的ECC码保存在存储阵列中

读取操作基本上是写入过程的逆过程，On-die ECC的具体工作过程如下：

1. DRAM芯片将数据和对应的ECC码读取出来
2. DRAM根据读取出的数据进行计算，生成用于校验的ECC码
3. DRAM将读取出的ECC码和上一步中计算生成的ECC码进行比较
4. 若这两个ECC码相同，则表明读取出的数据没有发生错误，数据将直接传输给控制器；若这两个ECC码不同，则表明读取出的数据存在错误，将会对数据以单bit纠错的方式进行数据纠正

综上，On-die ECC的基本特征是ECC码的计算生成和比较都在DRAM芯片上进行。On-die ECC其实是一种较新应用在DRAM中的技术，随着DRAM芯片的不断微缩，到了DDR5技术代，BL和WL的间距和线宽不断减小，存储单元间发生串扰的可能性逐渐增加，因此误码率也在不断上升，需要通过On-die ECC来降低误码率。

Note:row hammer作为一种经典的内存硬件错误，即就是狂锤某一行，隔山打牛，让隔壁的行不寒而栗，在颤抖中改变立场。通俗一点的语言解释一下row hammer：DDR数据读取的过程，是通过ACT命令激活某一行row，读取到sense amp中，之后再写回到原来的cell。由于DDR芯片密度的增高，这种频繁的读写会对临近行产生影响，多次之后甚至会造成该cell的电量变化，进一步引起电平翻转。

4.35 片上ECC -- 基于协议展开介绍

DDR5设备应实现内部单错误纠正（SEC:Single Error Correction）ECC以提高DRAM内部的数据完整性。DRAM将使用128个数据位来计算8个ECC校验位的ECC码。

对于x4 DDR5设备，即使x4是64位预取设备，内部预取用于片上ECC的是128位。对于x4设备的每个读或写事务，将内部访问DRAM阵列的额外部分，以提供用于128位ECC计算中所需的额外64位。换句话说，在x4设备中，每个8位ECC校验位字与DRAM的两个64位部分相连。对于x8设备，不需要额外的预取，因为预取与外部传输大小相同。对于x16设备，从不同的内部bank（相同的外部bank地址）中提取了两个128位数据字和它们对应的8个校验位。每个128位数据位和对应的8个校验位分别并行地进行检查。

在读取时，DRAM会在将数据返回给内存控制器之前纠正任何单比特错误。在读取周期中，DRAM不会将纠正后的数据写回阵列。

在写入时，DRAM会计算ECC并将数据和ECC位写入阵列。如果外部数据传输大小小于128个数据位编码字（对于x4设备），则DRAM将需要执行内部的“读-修改-写”操作。在合并传入的写入数据之前，DRAM会纠正因内部读取而产生的任何单比特错误，并重新计算8个ECC校验位，然后将数据和ECC位写入阵列。对于x8和x16 DDR5的情况，不需要进行内部读取操作。

对于x16设备，从两个内部bank（相同的外部bank地址）读取两个136位码字（two 136-bit code words࿰